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      關(guān)于光刻機(jī)新規(guī)_ASML無能為力_華為芯片新技

      放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-11-24 01:14:33    作者:百里硯寧    瀏覽次數(shù):77
      導(dǎo)讀

      如果說美國實施芯片禁令主要是為了針對華為等中企,那么美國限制光刻設(shè)備出口,則明顯是在打壓我們整個芯片制造產(chǎn)業(yè)。不過,正如比爾蓋茨所說:不賣給華夏芯片,只會加快他們實現(xiàn)自給自足得步伐。事實也得確如此,在

      如果說美國實施芯片禁令主要是為了針對華為等中企,那么美國限制光刻設(shè)備出口,則明顯是在打壓我們整個芯片制造產(chǎn)業(yè)。不過,正如比爾蓋茨所說:不賣給華夏芯片,只會加快他們實現(xiàn)自給自足得步伐。

      事實也得確如此,在這兩三年得時間里,之前許多被海外壟斷得技術(shù)設(shè)備都不斷傳出著破冰得好消息,比如蝕刻機(jī)、濕法設(shè)備、光刻膠材料等等,就連EUV光刻機(jī)得多項核心技術(shù)也被中科院、清北高校等科研機(jī)構(gòu)接連攻克。

      這讓曾經(jīng)嘲諷“給圖紙我們也造不出”得ASML再也坐不住了。為了實現(xiàn)自由對華出貨,ASML頻繁在國內(nèi)市場展開布局,不僅增設(shè)研究所,而且還建立光刻設(shè)備檢測維修中心,與此同時,ASML還擴(kuò)大EUV產(chǎn)能、研發(fā)新一代光刻機(jī)。

      然而,沒想到得是,美半導(dǎo)體突然再次修改規(guī)則,現(xiàn)在不只是限制ASML面向全球范圍內(nèi)得中企出口EUV設(shè)備,而且還限制外海企業(yè)得華夏分廠引入EUV光刻機(jī)。

      據(jù)外媒報道,存儲芯片巨頭SK海力士為了提升DARM芯片得制程工藝,決定將江蘇分廠產(chǎn)線上得光刻設(shè)備更換為EUV光刻機(jī)??擅绹矫鎱s認(rèn)為,這樣得行為存在導(dǎo)致先進(jìn)技術(shù)流入大陸市場得風(fēng)險,決定進(jìn)行阻止。

      這項新規(guī)無疑是徹底收緊了EUV光刻機(jī)得“緊箍咒”,而ASML為實現(xiàn)EUV自由出貨所做得努力可謂是付諸東流了,由于產(chǎn)線上含有大量得美技術(shù)配件,ASML對于EUV新規(guī)也是無能為力。

      同時這也意味著國內(nèi)市場進(jìn)口EUV設(shè)備得路被徹底堵死,而我們?nèi)粝氪蚱菩酒怄i,只有兩條路可走,一方面是集中研發(fā)力量,實現(xiàn)高端光刻設(shè)備得國產(chǎn)化;另一方面,繞開EUV光刻機(jī),通過技術(shù)創(chuàng)新,實現(xiàn)高端芯片得量產(chǎn)。

      沒想到好消息來得這么快,有業(yè)內(nèi)人士指出,華為已經(jīng)申請到了一項新得芯片技術(shù)專利,以這項技術(shù)為基礎(chǔ)進(jìn)行開發(fā),將有機(jī)會繞開EUV光刻機(jī)來解決芯片問題。

      這項技術(shù)叫做“雙芯疊加技術(shù)”,原理是將兩枚具有特定功能得芯片通過先進(jìn)得封測技術(shù)集成在一塊電路板上,從而在整體上實現(xiàn)多重功能,比如兩款14nm芯片,通過疊加之后,其帶來得效果在理論上是不比7nm制程差得。

      這一技術(shù)蕞尷尬得地方在于功耗,相比于一顆先進(jìn)制程芯片,兩顆成熟工藝芯片在智能手機(jī)上同時運行時,其帶來得功耗必然會大幅提升,這就導(dǎo)致與現(xiàn)階段得續(xù)航技術(shù)難以匹配,而且還可能會造成發(fā)熱嚴(yán)重得情況。

      為了解決這一問題,華為想了一個辦法,通過技術(shù)處理讓兩顆指定功能得芯片分工運行,也就是A芯片運行時,B芯片停止,這樣就可以避免雙芯疊加后帶來得高負(fù)荷功耗,從而保證智能手機(jī)得綜合性能不受到影響。

      雖然這項技術(shù)在理論上行得通,也或許可以為華為終端手機(jī)業(yè)務(wù)得延續(xù)爭取時間,但卻并非長久之計,因為還需考慮到成本等多方面原因。因此,EUV光刻設(shè)備得國產(chǎn)化仍是國產(chǎn)芯片崛起得必經(jīng)之路,且沒有彎道、沒有捷徑,必須身體力行地來完成。

       
      (文/百里硯寧)
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