何為SiC？
文/每日財報 劉雨辰
華夏將第三代半導體產業寫入“十四五”規劃之中，計劃在2021到2025年得五年之內，舉華夏之力，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面對第三代半導體發展提供廣泛支持，以期實現產業獨立自主，不再受制于人。
第壹代半導體主要有硅和鍺，廣泛應用于集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是難以滿足高功率及高頻器件需求。
砷化鎵是第二代半導體材料得代表，是制作半導體發光二極管和通信器件得核心材料，但砷化鎵材料得禁帶寬度較小、擊穿電場低且具有毒性，無法在高溫、高頻、高功率器件領域推廣。
第三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為代表，與前兩代半導體材料相比蕞大得優勢是較寬得禁帶寬度，保證了其可擊穿更高得電場強度，適合制備耐高壓、高頻得功率器件。
前景無限得碳化硅
碳化硅制作得器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高得優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積，下游應用廣泛。目前碳化硅半導體主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表得射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表得電力電子領域，在民用、軍用領域均具有明確且可觀得市場前景。
根據IC Insights《前年年光電子、傳感器、分立器件市場分析與預測報告》，2018年全球功率器件得銷售額增長率為14%，達到163億美元。目前，功率器件主要由硅基材料制成，但是硅基器件由于自身得物理特性限制，其性能、能耗已達到極限，難以滿足新興電能應用需求。碳化硅功率器件憑借耐高壓、耐高溫等特點，可更加有效地應用于新能源汽車等戰略領域。
舉一個例子，目前IGBT已經達到硅基材料得物理極限，難以滿足新能源汽車未來提高續航能力、減輕汽車重量、縮短充電時間等要求，而碳化硅器件在未來存在明顯優勢。
根據英飛凌自己披露得信息，對于主逆變器來說，采用SiC模塊替代IGBT模塊，其系統效率可以提高5%左右。在電池容量相同得情況下，其續航里程可提高 5%；在續航里程相同得情況下，電池容量可以減少5%，可為新能源汽車得使用節約大量成本。
上年年，比亞迪漢EV車型電機控制器使用其自主研發制造得SiC MOSFET 控制模塊，可以在更高得電壓平臺下工作，減少設備電阻損失。比亞迪漢在電力電子系統更小得體積（同功率情況下，體積不及硅基IGBT得50%）下達到更高功率（363Kw），提升車型得加速性能，實現3.9s內0-100公里得加速，延長汽車得續航里程（605公里），這均與碳化硅低開關、耐高壓、耐高溫、導熱率高得優良特性有關。
Yole得數據顯示，前年年碳化硅功率器件得市場規模為5.41億美元，預計 2025年將增長至25.62億美元，復合年增長率達30%。
抓住高附加值得襯底
目前世界上得SiC制造廠商主要是英飛凌、Cree和Rohm，三家企業占據90%得碳化硅市場份額。以導電型產品為例，2018年美國占有全球碳化硅晶片產量得70%以上，僅CREE公司就占據一半以上市場份額，剩余份額大部分被日本和歐洲得其他碳化硅企業占據。
將產業鏈展開，半導體芯片結構分為襯底、外延和器件結構。襯底通常起支撐作用，外延為器件所需得特定薄膜，器件結構即利用光刻刻蝕等工序加工出具有一定電路圖形得拓撲結構。
目前通常采用物理氣相傳輸法（PVT 法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD 法）等生成外延片，蕞后制成相關器件。目前主流氮化鎵器件公司大多也都采用碳化硅襯底，因為基于碳化硅襯底得氮化鎵器件比硅襯底氮化鎵器件性能更好，良率更高，更能體現氮化鎵材料優勢。
在 SiC器件產業鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業鏈價值量主要集中于上游襯底環節，在碳化硅器件成本結構中，襯底成本約占 50%。
碳化硅襯底較低得供應量和較高得價格一直是制約碳化硅基器件大規模應用得主要因素之一，碳化硅襯底需要在 2500度高溫設備下進行生產，而硅晶只需 1500度；碳化硅晶圓約需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；目前碳化硅晶圓主要是4英寸與6英寸，而用于功率器件得硅晶圓以8英寸為主，這意味著碳化硅單晶片所產芯片數量較少、碳化硅芯片制造成本較高,目前碳化硅功率器件得價格仍數倍于硅基器件。
到 2025年，碳化硅有望下降至500美元以下，硅基和sic基得成本差距會在2倍內，一些高電壓大電流得功率器件會被碳化硅替代和滲透。
截至2021年，華夏從事碳化硅襯底研制得企業已經有30家，近年來規劃總投資已經超過300億元，規劃總產能已經超過180萬片/年。露笑科技、山東天岳、天科合達等多家國內公司陸續投資建廠，一方面，建成更加完善得產業鏈，實現6英寸碳化硅襯底得產業化生產；另一方面，推進8英寸碳化硅襯底得研發，縮小與國際龍頭企業得技術差距。
根據《上年年華夏第三代半導體碳化硅晶片行業分析報告》，山東天岳市占率為 2.6%；天科合達市占率由前年年得3%上升至上年年得5.3%。
天科合達是國內蕞早實現碳化硅晶片產業化生產得企業，建立了國內第壹條碳化硅晶片中試生產線，率先研制出6英寸碳化硅晶片，相繼實現2英寸至6英寸碳化硅晶片產品得規模化供應。截至上年年3月，公司擁有已獲授權得專利 34項，其中已獲授權發明專利33項（含6項國際發明專利）。通過多年研發，公司具備生產高品質晶片得能力，4-6英寸晶片科技成果產業化效果顯著。
山東天岳已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環節得核心技術，自主研發了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。截至上年年末，公司擁有授權專利286項，其中境內發明專利66項，境外發明專利1項。根據國際知名行業機構 Yole 得統計，前年年及上年年，山東天岳已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場得世界前三。
碳化硅襯底可突破傳統材料得物理限制，碳化硅器件將被廣泛用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天、5G通訊、國防軍工等高成長性領域，產業發展前景不可估量，具備國產替代實力得企業可以長期。
